氢敏管传感器的特点

氢敏管传感器对氢气具有良好的选择性，除此之外，只对氢气略微敏感，对其他气体均不能产生反应，并且可感氢气的浓度范围很宽，从百万分之几直到百分之几。

　　1.氢敏管传感器的结构特点

　　普通MOS场效应晶体管用金属铝作为栅电极，而氢敏MOS场效应管传感器不用铝而采用金属钯作为栅电极。氢敏MOS场效应管的结构如图6-4所示。氢气能渗透通过钯，而其他气体则不能。氢气扩散到钯一二氧化硅等介质边界时会形成电偶层，从而使MOS场效应晶体管的阈值电压下降。一旦溶进并渗透到钯中的氢气被释放逸散，阈值电压就会恢复常态。

　　2.氢敏管传感器的温度特点

　　钯栅MOS场效应管传感器的灵敏度随工作温度的升高而提高，因此在常见的氢敏场效应管传感器中，有的在同一芯片上还设有热电阻和测温二极管，而且三者共用一个端子S，其连接图形如下图所示。

　　氢敏场效应管的工作温度最好在100℃左右。工作温度太高，会影响传感器的使用寿命。测温二极管用来测定氢敏场效应管的工作温度，以便比较精确地测定受检气体中氢气的含量。工作温度可从测温二极管的正向压降与温度的关系曲线中查得。

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